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氧化亚硅前驱体
块体
P-SiO-1
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P-SiO-1
具有纯度高(99.9%)、非晶态、沉积均匀、单炉产量高的特点,磁性物质含量可做到5ppm以下,金属元素杂质可做到1000ppm以下,稳定可靠的生产工艺可保证批量供货的批次稳定性,严格高效的过程管理可实现产品最优的性价比
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金属杂质
Fe
Co
Ni
Cr
Zn
Fe
Mg
Co
Mn
Ni
Cu
Cr
Al
Zn
Ca
氧化亚硅前驱体
一款具有高纯度、高品质、低成本等优势的硅基负极前驱体,由其制备的硅基负极材料具有高可逆容量、低嵌锂电位特点
≤5 ppm
≤1000 ppm
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